更多精彩内容 请点击上方蓝字关注我们吧！ 随着密度和成本的飞速进步，数字逻辑和 DRAM 的摩尔定律几乎要失效。但是在NAND 闪存领域并非如此，与半导体行业的其他产品不同，NAND 的成本逐年大幅下降。这是因为 NAND不再依赖光刻来图案化更小的单元。

在SK海力士、美光退出128层3D NAND之后，长江存储于今年4月份宣布推出128层堆栈的3D NAND闪存。与三星（V-NAND）、美光（CTF CuA）和SK hynix（4D PUC）的现有128L 512Gb 3D TLC NAND产品相比，长江存储128层Nand裸片尺寸更小，这使得它的比特密度最高，其工艺在容量、位 ...

铠侠（Kioxia）和闪迪（Sandisk）合作，在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比，新款3D NAND闪存的性能提高了33%，位密度、接口速率和功率效率也有所提高。 据TomsHardware报道，BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA（CMOS directly Bonded to Array ...

东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，日前宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。 东京东芝 ...

最近，铠侠展示了BiCS 8 NAND的相关产品。铠侠与西部数据在2023年3月宣布了BiCS 8的出样，这一代NAND采用了CMOS绑定阵列（CBA）技术。 传统上，闪存芯片的制造过程将逻辑电路（CMOS工艺）布置在闪存阵列的外围，随后在阵列之下放置CMOS逻辑电路。然而，这种方法 ...

长江存储正式公布了在3D NAND构架上的最新技术——Xtacking，Xtacking架构旨在使NAND获得超快的I/O接口速度，其64层3D NAND芯片的I/O ...

据报道，为了减少对外国设备的依赖，长江存储技术有限公司（YMTC）在推动“全国产化”制造设备方面取得了重大突破，首条全国产化的产线将于2025年下半年导入试产。 2016年，长江存储在武汉东湖新技术开发区正式注册成立，专注于3D NAND闪存芯片的设计 ...

这是 BiCS10 更复杂、高密度架构制造和性能调整的过渡步骤。 Kioxia 和 SanDisk 已开始提供其第九代 BiCS FLASH 的样品出货。BiCS FLASH 是一种 NAND 闪存技术，融合了传统架构与现代增强功能，在当前的 BiCS8 和即将推出的 BiCS10 之间架起了一座桥梁。 日前，铠侠在ISSCC ...

华经产业研究院为助力企业、科研、投资机构等单位了解NAND FLASH存储器行业发展态势及未来趋势，特重磅推出《2025-2031年中国NAND FLASH存储器行业市场发展监测及投资潜力预测报告》，本报告由华经产业研究院研究团队对NAND FLASH存储器行业进行多年跟踪研究 ...

别再盯着GPU和HBM高带宽内存了，AI推理浪潮正在让NAND闪存摆脱“强周期商品”的宿命，演变成一种高增长的AI基础设施资产。 据追风交易台消息，1月23日，摩根大通亚太区科技研究团队发布深度研报《半导体：NAND——更长、更强的上升周期》，宣告NAND行业进入 ...